本申請涉及半導體制造設備工藝控制，尤其涉及一種基于fcvd設備的多腔室晶圓轉移控制方法、系統及電子設備。
背景技術：
1、在流動化學氣相沉積（flowable?chemical?vapor?deposition，fcvd）工藝中，晶圓完成前段沉積后需經由多腔室設備轉移至后續腔室執行進一步處理，以將前驅體膜層轉化為目標介質膜。然而，在實際多腔室生產過程中，不同晶圓從完成前段沉積至進入后續腔室所經歷的條件與時序存在差異，導致不同晶圓到達后續腔室時的膜層狀態不盡相同，進而造成批次內不同晶圓之間膜厚、均勻性、折射率等關鍵參數出現離散。
技術實現思路
1、有鑒于此，本申請提供了一種基于fcvd設備的多腔室晶圓轉移控制方法、系統及電子設備，以克服現有技術中的不足。
2、根據本申請的第一方面，提供了基于fcvd設備的多腔室晶圓轉移控制方法，包括：獲得目標晶圓的膜態表征值；膜態表征值表征目標晶圓的前驅體膜層自沉積完成后隨時間持續演化所處的狀態；目標晶圓為完成前段沉積后處于等待轉移狀態的晶圓；基于膜態表征值，預測目標晶圓在候選轉移時刻分別進入多個候選腔室時的膜態變化趨勢；基于目標晶圓的膜態變化趨勢和每個候選腔室的可用狀態，為目標晶圓確定轉移優先級；根據轉移優先級在多個候選腔室中確定目標腔室以及轉移時刻；控制fcvd設備的執行機構在轉移時刻將目標晶圓轉移至目標腔室。
3、本申請的第二方面提供了一種基于fcvd設備的多腔室晶圓轉移控制系統，用于實施上述基于fcvd設備的多腔室晶圓轉移控制方法，其包括：膜態獲取模塊，用于獲得目標晶圓的膜態表征值；膜態表征值表征目標晶圓的前驅體膜層自沉積完成后隨時間持續演化所處的狀態；目標晶圓為完成前段沉積后處于等待轉移狀態的晶圓；趨勢預測模塊，用于基于膜態表征值，預測目標晶圓在候選轉移時刻分別進入多個候選腔室時的膜態變化趨勢；優先評定模塊，用于基于目標晶圓的膜態變化趨勢和每個候選腔室的可用狀態，為目標晶圓確定轉移優先級；調度規劃模塊，用于根據轉移優先級在多個候選腔室中確定目標腔室以及轉移時刻；轉移控制模塊，用于控制fcvd設備的執行機構在轉移時刻將目標晶圓轉移至目標腔室。
4、本申請的第三方面提供了一種電子設備，包括存儲器、處理器及存儲在存儲器上并可在處理器上運行的計算機程序，所述處理器執行所述計算機程序時實現如上述任一種基于fcvd設備的多腔室晶圓轉移控制方法。
5、本申請的有益效果至少在于：
6、通過采用本申請技術方案，首先通過獲得目標晶圓的膜態表征值，將前驅體膜層自沉積完成后隨時間持續演化所處的狀態進行量化表達，使系統能夠感知當前晶圓膜層所處的演化階段；在此基礎上，基于膜態表征值預測目標晶圓在各候選轉移時刻分別進入多個候選腔室時的膜態變化趨勢，從而在轉移決策執行前預判不同轉移時刻與不同候選腔室組合下的膜態演變走向；進而將上述膜態變化趨勢與各候選腔室的可用狀態相結合，為目標晶圓確定轉移優先級，使轉移決策同時兼顧膜態適配性與腔室可用性兩個維度；最終根據轉移優先級確定目標腔室及轉移時刻，并控制執行機構完成轉移。
7、與現有技術中多腔室轉移控制方式難以針對不同晶圓到達后續腔室時膜層狀態差異進行有效管控的問題相比，本申請通過對膜態演化過程的預測與主動調度，使目標晶圓能夠在與其當前膜態相適配的候選腔室和轉移時刻完成轉移，從而有效管控批次內不同晶圓進入后續腔室時的膜層狀態差異，減少膜厚、均勻性、折射率等關鍵參數的批次內離散。
8、應當理解，本部分所描述的內容并非旨在標識本申請的實施例的關鍵或重要特征，也不用于限制本申請的范圍。本申請的其它特征將通過以下的說明書而變得容易理解。
1.一種基于fcvd設備的多腔室晶圓轉移控制方法，其特征在于，包括：
2.根據權利要求1所述的基于fcvd設備的多腔室晶圓轉移控制方法，其特征在于，所述獲得目標晶圓的膜態表征值，包括：
3.根據權利要求1所述的基于fcvd設備的多腔室晶圓轉移控制方法，其特征在于，所述基于所述膜態表征值，預測所述目標晶圓在候選轉移時刻分別進入多個候選腔室時的膜態變化趨勢，包括：
4.根據權利要求3所述的基于fcvd設備的多腔室晶圓轉移控制方法，其特征在于，所述基于各候選轉移時刻的所述預測膜態與各候選腔室的工藝處理要求，確定所述目標晶圓與各個所述候選腔室的匹配度，包括：
5.根據權利要求1所述的基于fcvd設備的多腔室晶圓轉移控制方法，其特征在于，所述基于所述目標晶圓的膜態變化趨勢和每個所述候選腔室的可用狀態，為所述目標晶圓確定轉移優先級，包括：
6.根據權利要求5所述的基于fcvd設備的多腔室晶圓轉移控制方法，其特征在于，所述基于各候選腔室在對應有效候選轉移時刻下的所述膜態變化趨勢，確定各候選腔室的轉移評估值，包括：
7.根據權利要求1所述的基于fcvd設備的多腔室晶圓轉移控制方法，其特征在于，所述方法還包括：
8.根據權利要求7所述的基于fcvd設備的多腔室晶圓轉移控制方法，其特征在于，所述補償工藝參數包括以下至少一項或多項的組合：
9.一種基于fcvd設備的多腔室晶圓轉移控制系統，其特征在于，包括：
10.一種電子設備，包括存儲器、處理器及存儲在所述存儲器上并可在所述處理器上運行的計算機程序，其特征在于，所述處理器執行所述計算機程序時實現如權利要求1-8任一項所述的基于fcvd設備的多腔室晶圓轉移控制方法。