本說明書實施例涉及半導(dǎo)體制備工藝，尤其是一種microled微顯示芯片。
背景技術(shù)：
1、現(xiàn)有的microled微顯示芯片通常采用共極設(shè)計，即所有l(wèi)ed共用一個p或n電極，公共電極通過電流較大且公共電極通常設(shè)置在有效顯示區(qū)外圍，如圖1所示；另外一端電極單獨引出。
2、現(xiàn)有技術(shù)中，像素共極電流通過摻雜半導(dǎo)體層傳輸?shù)酵鈬搽姌O區(qū)域，再通過鍵合金屬傳導(dǎo)到驅(qū)動基板上形成回路。由于位于有效顯示區(qū)不同位置處的像素到公共電極的距離不同；且半導(dǎo)體材料方阻大較大，會導(dǎo)致公共電極端傳輸電阻大，導(dǎo)致嚴重ir?drop（current-related?resistance?voltage?drop，即由電流（i）流過電阻（r）導(dǎo)致的電壓下降）現(xiàn)象，造成亮度不均和器件發(fā)光效率下降。
3、有鑒于此，本說明書實施例旨在提供一種microled微顯示芯片。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、針對現(xiàn)有技術(shù)存在的位于有效顯示區(qū)不同位置處的像素存在不同程度ir?drop，以及導(dǎo)致公共電極端傳輸電阻大，造成亮度不均和器件發(fā)光效率下降的問題，本說明書實施例的目的在于，提供一種microled微顯示芯片。
2、為了解決上述技術(shù)問題，本說明書實施例的具體技術(shù)方案如下：
3、本說明書實施例提供一種microled微顯示芯片，包括像素層和驅(qū)動基板：
4、所述像素層包括多個呈陣列分布的像素單元，各所述像素單元包括沿背離驅(qū)動基板的方向依次設(shè)置的第一摻雜半導(dǎo)體、有源層和第二摻雜半導(dǎo)體，各像素單元的第一摻雜半導(dǎo)體、有源層和第二摻雜半導(dǎo)體中靠近有源層的部分形成第一臺階，第二摻雜半導(dǎo)體遠離有源層的部分側(cè)向凸出于第一臺階形成第二臺階；
5、所述驅(qū)動基板上設(shè)置有多個第一觸點和多個第二觸點；所述第一觸點通過第一金屬層與對應(yīng)像素單元的第一臺階的底部相連接，所述第二觸點通過第三金屬層與對應(yīng)像素單元的第二臺階的底部相連接。
6、采用上述技術(shù)方案，本說明書實施例提供的一種microled微顯示芯片，通過金屬材料代替半導(dǎo)體材料進行電流傳輸，降低了公共電極端傳輸電阻，增強了公共電極電流擴展，有利于優(yōu)化ir?drop問題，提高了顯示效果的均勻性和發(fā)光效率。
7、為讓本說明書實施例的上述和其他目的、特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，并配合所附圖式，作詳細說明如下。
1.一種microled微顯示芯片，其特征在于，包括像素層和驅(qū)動基板：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的microled微顯示芯片，其特征在于，所述第一觸點與各像素單元一一對應(yīng)并位于相應(yīng)像素單元的下方，所述第二觸點位于相鄰兩個像素單元之間的間隔區(qū)域以及陣列的外圍區(qū)域。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的microled微顯示芯片，其特征在于，
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的microled微顯示芯片，其特征在于，
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的microled微顯示芯片，其特征在于，還包括第五金屬層，所述第五金屬層設(shè)置在相鄰兩個像素單元之間的間隔區(qū)域以及陣列的外圍區(qū)域；
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的microled微顯示芯片，其特征在于，所述第五金屬層頂面的高度高于或等于所述第二臺階頂面的高度。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的microled微顯示芯片，其特征在于，還包括第二金屬層；
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的microled微顯示芯片，其特征在于，
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的microled微顯示芯片，其特征在于，還包括第六金屬層，所述第六金屬層設(shè)置在相鄰兩個像素單元之間的間隔區(qū)域以及陣列的外圍區(qū)域，位于所述間隔區(qū)域處的所述第六金屬層的尺寸小于對應(yīng)像素單元間隔的尺寸；
10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的microled微顯示芯片，其特征在于，還包括第一鈍化層，所述第一鈍化層沉積在所述像素層的底部，所述第一鈍化層設(shè)置有多個貫穿的第一開孔，所述第一開孔位于第一臺階的底部；
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的microled微顯示芯片，其特征在于，所述第一鈍化層還設(shè)置有多個貫穿的第三開孔，所述第三開孔位于第二臺階的底部；
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的microled微顯示芯片，其特征在于，所述第一鈍化層設(shè)有貫穿的第五開孔，所述第五開孔置在相鄰兩個像素單元之間的間隔區(qū)域以及陣列的外圍區(qū)域；
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的microled微顯示芯片，其特征在于，還包括第二鈍化層；
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的microled微顯示芯片，其特征在于，所述第二鈍化層設(shè)有貫穿的第二開孔，所述第二開孔位于相鄰兩個像素單元之間的間隔區(qū)域以及陣列的外圍區(qū)域；
15.根據(jù)權(quán)利要求8所述的microled微顯示芯片，其特征在于，還包括第三鈍化層；
16.根據(jù)權(quán)利要求5所述的microled微顯示芯片，其特征在于，還包括第四鈍化層；
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的microled微顯示芯片，其特征在于，所述第四鈍化層設(shè)有貫穿的第六開孔；
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的microled微顯示芯片，其特征在于，所述第六開孔的位置與尺寸和所述第一臺階的位置與尺寸相對應(yīng)。
19.根據(jù)權(quán)利要求10所述的microled微顯示芯片，其特征在于，還包括導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層設(shè)置在各像素單元的第一摻雜半導(dǎo)體與第一鈍化層之間；