本技術(shù)涉及器件封裝，具體而言，涉及一種聲表面波器件的封裝結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
1、濾波器是一種對信號有處理作用的器件或電路，主要功能是對特定頻率的信號進(jìn)行篩選，讓特定頻率范圍內(nèi)的信號通過，而阻止其他頻率的信號。聲表面濾波器（surfaceacoustic?wave?filter，saw?filter）是一種利用聲表面波在晶體結(jié)構(gòu)上傳播的濾波器。目前聲表面濾波器主要的封裝技術(shù)還是用引線鍵合的陶瓷、金屬、塑料封裝、無引線的表面貼裝和倒裝焊等形式。隨著通信技術(shù)的不斷發(fā)展，對濾波器的性能要求也越來越高。未來的濾波器需要具有更高的頻率選擇性、更低的插入損耗、更大的功率容量等性能。同時濾波器也需要朝著更小的尺寸和更高的集成度發(fā)展。
2、現(xiàn)有的這類濾波器封裝形式和結(jié)構(gòu)存在以下缺點(diǎn)：
3、1、封裝基板的尺寸較大，不滿足當(dāng)前尺寸小型化的要求。
4、2、部分封裝形式封裝厚度較厚，不滿足當(dāng)前射頻模塊的要求。
5、3、針對周緣抬升形成的密封空腔結(jié)構(gòu)，容易出現(xiàn)焊接不良。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本實(shí)用新型的目的在于提供一種聲表面波器件的封裝結(jié)構(gòu)，能夠降低封裝尺寸，滿足尺寸小型化要求，同時降低封裝厚度，有效減緩了焊接不良現(xiàn)象。
2、第一方面，本實(shí)用新型提供一種聲表面波器件的封裝結(jié)構(gòu)，包括：
3、玻璃基板，所述玻璃基板的一側(cè)形成有基板凹槽，所述基板凹槽的底壁設(shè)置有貫通至所述玻璃基板另一側(cè)的導(dǎo)電通孔，所述導(dǎo)電通孔中填充形成有導(dǎo)電柱；
4、壓電晶圓，所述壓電晶圓貼裝在所述玻璃基板上，且所述壓電晶圓靠近所述玻璃基板的一側(cè)設(shè)置有焊球，所述焊球容納在所述基板凹槽中，并對應(yīng)連接于所述導(dǎo)電柱；
5、覆膜層，所述覆膜設(shè)置在所述玻璃基板上，并包覆于所述壓電晶圓的側(cè)壁和遠(yuǎn)離所述玻璃基板的一側(cè)表面；
6、其中，所述壓電晶圓靠近所述玻璃基板的一側(cè)表面的邊緣與所述基板凹槽的周緣間隔對應(yīng)并形成預(yù)留間隙，所述覆膜層密封包覆于所述預(yù)留間隙，以使所述壓電晶圓和所述玻璃基板之間形成封閉內(nèi)腔。
7、在可選的實(shí)施方式中，所述預(yù)留間隙在10-30mm之間。
8、在可選的實(shí)施方式中，所述覆膜層部分延伸至所述預(yù)留間隙內(nèi)，且所述覆膜層延伸至所述預(yù)留間隙內(nèi)的部分同時與所述玻璃基板和所述壓電晶圓相接觸。
9、在可選的實(shí)施方式中，所述壓電晶圓靠近所述玻璃基板的一側(cè)設(shè)置有第一焊盤和叉指結(jié)構(gòu)，所述叉指結(jié)構(gòu)和所述第一焊盤均對應(yīng)于所述基板凹槽，且所述第一焊盤與所述叉指結(jié)構(gòu)間隔設(shè)置，所述焊球設(shè)置在所述第一焊盤上。
10、在可選的實(shí)施方式中，所述導(dǎo)電柱靠近所述壓電晶圓的一端設(shè)置有第二焊盤，所述第二焊盤設(shè)置在所述基板凹槽的底壁上，所述焊球?qū)?yīng)連接于所述第二焊盤；所述導(dǎo)電柱遠(yuǎn)離所述壓電晶圓的一端還設(shè)置有第三焊盤，所述第三焊盤設(shè)置在所述玻璃基板的表面。
11、在可選的實(shí)施方式中，所述焊球包括焊接芯球和焊料層，所述焊接芯球設(shè)置在所述第一焊盤上，所述焊料層包覆于所述焊接芯球，并被配置為接合至所述第二焊盤，且所述焊料層的熔點(diǎn)低于所述焊接芯球的熔點(diǎn)。
12、在可選的實(shí)施方式中，所述玻璃基板的厚度在200-300μm之間，所述基板凹槽的深度在40-70μm之間，所述焊球相對于所述壓電晶圓的凸起高度在50-100μm之間。
13、在可選的實(shí)施方式中，所述基板凹槽包括第一臺階槽和第二臺階槽，所述第二臺階槽設(shè)置在所述第一臺階槽的底壁中部，且所述第二臺階槽的寬度小于所述第一臺階槽的寬度，所述叉指結(jié)構(gòu)對應(yīng)于所述第二臺階槽。
14、在可選的實(shí)施方式中，所述導(dǎo)電通孔設(shè)置在所述第二臺階槽的底壁，且所述第二臺階槽的邊緣對應(yīng)接合于所述焊球。
15、在可選的實(shí)施方式中，所述導(dǎo)電通孔的直徑在30-100μm之間。
16、本實(shí)用新型實(shí)施例的有益效果包括：
17、本實(shí)用新型實(shí)施例提供的聲表面波器件的封裝結(jié)構(gòu)，在玻璃基板的一側(cè)形成有基板凹槽，基板凹槽的底壁形成有貫通玻璃基板的玻璃通孔，玻璃通孔中電鍍形成有導(dǎo)電柱，同時壓電晶圓貼裝在玻璃基板上，且壓電晶圓的焊球容納在基板凹槽中，并對應(yīng)連接于導(dǎo)電柱。覆膜層設(shè)置在玻璃基板上，并包覆在壓電晶圓的側(cè)壁和頂側(cè)表面，其中，壓電晶圓與基板凹槽的周緣間隔對應(yīng)設(shè)置并形成有預(yù)留間隙，覆膜層密封包覆于預(yù)留間隙中，使得壓電晶圓和玻璃基板之間形成有封閉內(nèi)腔。相較于現(xiàn)有技術(shù)中，本實(shí)用新型實(shí)施例通過設(shè)置基板凹槽，能夠降低封裝厚度，而通過玻璃通孔和導(dǎo)電柱實(shí)現(xiàn)壓電晶圓的電連接，避免了常規(guī)的打線結(jié)構(gòu)，在保證小尺寸的同時確保低帶內(nèi)插入損耗和高帶外抑制。這大大降低了基板損耗和寄生效應(yīng)，確保了傳輸信號的完整性。同時通過設(shè)置預(yù)留間隙，能夠避免壓電晶圓直接搭接在玻璃基板上造成焊球焊接時接觸不良，減緩了焊接不良現(xiàn)象，降低了工藝要求。
1.一種聲表面波器件的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聲表面波器件的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述預(yù)留間隙在10-30mm之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的聲表面波器件的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述覆膜層部分延伸至所述預(yù)留間隙內(nèi)，且所述覆膜層延伸至所述預(yù)留間隙內(nèi)的部分同時與所述玻璃基板和所述壓電晶圓相接觸。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聲表面波器件的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述壓電晶圓靠近所述玻璃基板的一側(cè)設(shè)置有第一焊盤和叉指結(jié)構(gòu)，所述叉指結(jié)構(gòu)和所述第一焊盤均對應(yīng)于所述基板凹槽，且所述第一焊盤與所述叉指結(jié)構(gòu)間隔設(shè)置，所述焊球設(shè)置在所述第一焊盤上。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的聲表面波器件的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述導(dǎo)電柱靠近所述壓電晶圓的一端設(shè)置有第二焊盤，所述第二焊盤設(shè)置在所述基板凹槽的底壁上，所述焊球?qū)?yīng)連接于所述第二焊盤；所述導(dǎo)電柱遠(yuǎn)離所述壓電晶圓的一端還設(shè)置有第三焊盤，所述第三焊盤設(shè)置在所述玻璃基板的表面。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的聲表面波器件的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述焊球包括焊接芯球和焊料層，所述焊接芯球設(shè)置在所述第一焊盤上，所述焊料層包覆于所述焊接芯球，并被配置為接合至所述第二焊盤，且所述焊料層的熔點(diǎn)低于所述焊接芯球的熔點(diǎn)。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的聲表面波器件的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述玻璃基板的厚度在200-300μm之間，所述基板凹槽的深度在40-70μm之間，所述焊球相對于所述壓電晶圓的凸起高度在50-100μm之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的聲表面波器件的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述基板凹槽包括第一臺階槽和第二臺階槽，所述第二臺階槽設(shè)置在所述第一臺階槽的底壁中部，且所述第二臺階槽的寬度小于所述第一臺階槽的寬度，所述叉指結(jié)構(gòu)對應(yīng)于所述第二臺階槽。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的聲表面波器件的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述導(dǎo)電通孔設(shè)置在所述第二臺階槽的底壁，且所述第二臺階槽的邊緣對應(yīng)接合于所述焊球。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的聲表面波器件的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述導(dǎo)電通孔的直徑在30-100μm之間。