技術(shù)簡介：
本專利針對傳統(tǒng)硅單晶生長爐導流筒固定位置導致投料量受限、產(chǎn)能低的問題，提出通過吊鉤、拉桿和座套聯(lián)動的升降機構(gòu)，使導流筒隨引晶裝置升降。投料時導流筒上移增加石英坩堝空間，提升投料量；融化后下放時熔液面下降避免接觸硅料，實現(xiàn)產(chǎn)能提升25%（如60kg→75kg）。
關(guān)鍵詞：導流筒升降機構(gòu),硅單晶生長爐,投料量提升
專利名稱：硅單晶生長爐的導流筒升降機構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
硅單晶生長爐的導流筒升降機構(gòu)
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種硅單晶生長爐，具體涉及一種硅單晶生長爐的導流筒升降機構(gòu)。
背景技術(shù)：
硅單晶生長爐是生產(chǎn)單晶硅棒的設備，傳統(tǒng)的硅單晶生長爐的導流筒與石英坩堝之間的位置是固定不變的，導流筒由爐體的蓋板固定支撐，導流筒的下口位置低于石英坩堝的上口位置，所以每次往石英坩堝內(nèi)投放的硅原料量就受到限制，導致硅單晶生長爐的產(chǎn)能受到限制，提高了成本。
發(fā)明內(nèi)容鑒于背景技術(shù)存在的不足，本實用新型的目的旨在提供一種能提高硅單晶生長爐每次投料量，增大硅單晶生長爐產(chǎn)能的硅單晶生長爐導流筒升降機構(gòu)。本實用新型是通過以下技術(shù)方案來實現(xiàn)的硅單晶生長爐的導流筒升降機構(gòu)，其特征在于硅單晶生長爐的導流筒升降機構(gòu)包括吊鉤、拉桿和座套，座套套接在硅單晶生長爐的引晶裝置的重錘桿上，吊鉤固定在導流筒的上端口，拉桿的上端與座套鉸接連接，拉桿的下端鉤在吊鉤上。當往石英坩堝內(nèi)投料時，導流筒和引晶裝置一起處于高位，既導流筒的下口位置相對石英坩堝的上口位置往上提升了，石英坩堝這部分騰出的空間就可以用于增加投料量，在投料融化后，熔硅的液面下降，此時導流筒與引晶裝置一起下放，導流筒的下口雖然回到原來工作位置，但因為熔硅的液面較投料時的低，所以導流筒的下口也不會與硅料接觸，保證了硅單晶生長爐的正常工作，由于每次投料量的提高，所以硅單晶生長爐的產(chǎn)能得以增大，節(jié)約了成本。
圖1為本實用新型的結(jié)構(gòu)圖
具體實施方式參照附圖1，這種硅單晶生長爐的導流筒升降機構(gòu)，包括吊鉤3、拉桿2和座套1，座套1活動套設在硅單晶生長爐引晶裝置的重錘桿4上部分直徑較小的軸桿外圓，重錘桿4 的下端連接有籽晶6，重錘桿4的上端連接鋼絲繩5，吊鉤3通過螺釘固定在導流筒7的上端口，拉桿2的上端與座套1鉸接連接，拉桿2的下端鉤在吊鉤3上。本實用新型是這樣提高硅單晶生長爐每次的投料量，增大硅單晶生長爐的產(chǎn)能的在往石英坩堝內(nèi)投料時，引晶裝置肯定處于高位，所以導流筒也一起處于高位，這樣導流筒的下口位置相對石英坩堝的上口位置往上提升了，石英坩堝這部分騰出的空間就可以用于增加固體硅原料的投料量，在投料完全融化后，熔硅的液面下降，此時引晶裝置開始下
3放，籽晶開始引晶，導流筒隨之一起下放，導流筒的下口回到原來工作位置，但因為熔硅的液面較投料時的低，所以導流筒的下口不會與硅料接觸，保證了硅單晶生長爐的正常工作， 由于每次投料量的提高，所以硅單晶生長爐的產(chǎn)能得以增大，節(jié)約了成本。以以前硅單晶生長爐每次投料60KG為例，采用本實用新型技術(shù)后，硅單晶生長爐每次可以投料75KG，提升產(chǎn)能25%。
權(quán)利要求1.硅單晶生長爐的導流筒升降機構(gòu)，其特征在于硅單晶生長爐的導流筒升降機構(gòu)包括吊鉤、拉桿和座套，座套套接在硅單晶生長爐的引晶裝置的重錘桿上，吊鉤固定在導流筒的上端口，拉桿的上端與座套鉸接連接，拉桿的下端鉤在吊鉤上。
專利摘要本實用新型公開了一種硅單晶生長爐的導流筒升降機構(gòu)，其特征在于硅單晶生長爐的導流筒升降機構(gòu)包括吊鉤、拉桿和座套，座套套接在硅單晶生長爐的引晶裝置的重錘桿上，吊鉤固定在導流筒的上端口，拉桿的上端與座套鉸接連接，拉桿的下端鉤在吊鉤上。本實用新型用于硅單晶生長爐，可以提高硅單晶生長爐每次的投料量，增大硅單晶生長爐的產(chǎn)能，節(jié)約成本。
文檔編號C30B15/00GK201981288SQ201120066960
公開日2011年9月21日 申請日期2011年3月11日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月11日
發(fā)明者李國迪, 蔣明霞, 蔡光進, 韓喆 申請人:浙江瑞迪硅谷新能源科技有限公司