本發明屬于光學顯示，具體地說，本發明涉及一種硅基oled顯示屏、制備方法及ar設備。
背景技術：
1、micro?oled(micro-organic?light-emitting?diode，微型有機發光二極管)顯示器具有體積小、重量輕、對比度高、響應速度快和功耗低等優點，近年來被作為近眼顯示器廣泛應用在增強現實(ar)領域中。
2、ar眼鏡，以birdbath結構為例，其大致光學架構如圖7所示，其包括雙面顯示屏、棱鏡、偏振分束器和半透半反曲面鏡。如果要顯示立體畫面時，一般都需要兩塊屏幕投射不同的圖像，通過雙目視差原理合成為三維的圖像。該方案導致光學系統復雜度增加、設備體積臃腫，且雙屏驅動進一步提高了功耗，成為制約ar眼鏡向輕薄化發展的瓶頸。
3、硅基oled是以單晶硅為襯底，單晶硅中集成了cmos驅動電路，在cmos基板上再制備oled發光單元。一般單晶硅的cmos基板厚度500-1000um，是不透明的，所以硅基oled一般只能制備頂發光器件，無法像玻璃基oled屏幕一樣制備為底發光或雙面發光屏幕。這一局限性導致單塊硅基oled屏幕難以同時輸出兩路獨立圖像，迫使ar設備仍需依賴雙屏架構，間接抵消了硅基oled的集成優勢。
4、提供一種硅基oled顯示屏，特別是關于如何實現雙面發光，提高顯示效果。
技術實現思路
1、本發明旨在至少解決現有技術中存在的技術問題之一。為此，本發明提供一種硅基oled顯示屏，目的是實現雙面發光，提高顯示效果。
2、為了實現上述目的，本發明采取的技術方案為：硅基oled顯示屏，包括驅動電路襯底、第一陽極金屬層、第二陽極金屬層、設置于第一陽極金屬層遠離驅動電路襯底一側的第一發光結構層和設置于第二陽極金屬層遠離驅動電路襯底一側的第二發光結構層，第一陽極金屬層和第二陽極金屬層分別位于驅動電路襯底的相對兩側。
3、所述驅動電路襯底包括襯底基板和設置于襯底基板上的像素驅動電路層，像素驅動電路層包括多個晶體管。
4、所述多個晶體管包括第一源極、第一漏極、第一柵極、第二源極、第二漏極和第二柵極，所述像素驅動電路層還包括第一絕緣層和第二絕緣層，第一絕緣層、第一源極、第一漏極、第二源極和第二漏極設置于所述襯底基板的一側，第二絕緣層、第一柵極和第二柵極設置于第一絕緣層遠離襯底基板的一側，所述第一陽極金屬層設置于第二絕緣層遠離襯底基板的一側，所述第二陽極金屬層設置于襯底基板的另一側。
5、所述像素驅動電路層還包括第一漏極延伸層，第一漏極延伸層與所述第一漏極和所述第一陽極金屬層接觸。
6、所述像素驅動電路層還包括第二漏極延伸層和過孔導通層，第二漏極延伸層與所述第二漏極接觸，過孔導通層與所述第二漏極延伸層和所述第二陽極金屬層接觸，過孔導通層穿過所述襯底基板。
7、所述第一發光結構層包括第一發光元件、第一封裝層、第一彩膠層和第一蓋板玻璃。
8、所述第二發光結構層包括第二發光元件、第二封裝層、第二彩膠層和第二蓋板玻璃。
9、所述襯底基板為單晶硅晶片。
10、本發明還提供了一種ar設備，包括所述的硅基oled顯示屏。
11、本發明還提供了一種硅基oled顯示屏的制備方法，包括步驟：
12、s1、提供一驅動電路襯底；
13、s2、在所述驅動電路襯底的一側，形成第一陽極金屬層；
14、s3、在所述第一陽極金屬層遠離所述驅動電路襯底的一側，形成第一發光結構；
15、s4、在所述驅動電路襯底的另一側，形成第二陽極金屬層；
16、s5、在所述第二陽極金屬層遠離所述驅動電路襯底的一側，形成第二發光結構。
17、本發明的硅基oled顯示屏，可以實現雙面發光，提高顯示效果；應用到ar眼鏡時，硅基oled屏幕垂直置于中間，圖像向左右兩邊傳輸，分別通過反射鏡進入偏振分束器，偏振分束器再將光線反射到半透半反的曲面鏡，曲面鏡再將光線返回傳輸至人眼，降低系統復雜度。
1.硅基oled顯示屏，其特征在于，包括驅動電路襯底、第一陽極金屬層、第二陽極金屬層、設置于第一陽極金屬層遠離驅動電路襯底一側的第一發光結構層和設置于第二陽極金屬層遠離驅動電路襯底一側的第二發光結構層，第一陽極金屬層和第二陽極金屬層分別位于驅動電路襯底的相對兩側。
2.根據權利要求1所述的硅基oled顯示屏，其特征在于，所述驅動電路襯底包括襯底基板和設置于襯底基板上的像素驅動電路層，像素驅動電路層包括多個晶體管。
3.根據權利要求2所述的硅基oled顯示屏，其特征在于，所述多個晶體管包括第一源極、第一漏極、第一柵極、第二源極、第二漏極和第二柵極，所述像素驅動電路層還包括第一絕緣層和第二絕緣層，第一絕緣層、第一源極、第一漏極、第二源極和第二漏極設置于所述襯底基板的一側，第二絕緣層、第一柵極和第二柵極設置于第一絕緣層遠離襯底基板的一側，所述第一陽極金屬層設置于第二絕緣層遠離襯底基板的一側，所述第二陽極金屬層設置于襯底基板的另一側。
4.根據權利要求3所述的硅基oled顯示屏，其特征在于，所述像素驅動電路層還包括第一漏極延伸層，第一漏極延伸層與所述第一漏極和所述第一陽極金屬層接觸。
5.根據權利要求3所述的硅基oled顯示屏，其特征在于，所述像素驅動電路層還包括第二漏極延伸層和過孔導通層，第二漏極延伸層與所述第二漏極接觸，過孔導通層與所述第二漏極延伸層和所述第二陽極金屬層接觸，過孔導通層穿過所述襯底基板。
6.根據權利要求1至5任一所述的硅基oled顯示屏，其特征在于，所述第一發光結構層包括第一發光元件、第一封裝層、第一彩膠層和第一蓋板玻璃。
7.根據權利要求1至5任一所述的硅基oled顯示屏，其特征在于，所述第二發光結構層包括第二發光元件、第二封裝層、第二彩膠層和第二蓋板玻璃。
8.根據權利要求2至7任一所述的硅基oled顯示屏，其特征在于，所述襯底基板為單晶硅晶片。
9.ar設備，其特征在于，包括權利要求1至8任一所述的硅基oled顯示屏。
10.如權利要求1至8任一所述的硅基oled顯示屏的制備方法，其特征在于，包括步驟：