本技術(shù)涉及硅單晶制備設(shè)備，具體是一種硅單晶生長爐。
背景技術(shù)：
1、硅單晶是制造集成電路和太陽能電池的主要原料，硅單晶的生長是在真空工作室內(nèi)將多晶硅原材料放入坩堝中，通過加熱器將原材料熔化，然后，通過籽晶引導(dǎo)、向上提拉的方法生長出理想的硅單晶，在連續(xù)向上提拉的硅單晶生長過程中，為了保證硅單晶的穩(wěn)定快速生長和揮發(fā)物的及時排除，整個工藝過程中都有工藝氣體(常用高純氬氣)從硅單晶生長爐頂部充入，再通過真空泵從硅單晶生長爐底部排出，硅單晶生長爐是生產(chǎn)單晶硅的設(shè)備，在單晶硅生長的拉晶過程中，石墨加熱器始終要對坩堝內(nèi)的硅料進行加熱。
2、但是現(xiàn)有的硅單晶生長爐在生產(chǎn)過程中熱功率和高純氬氣存在一定程度的浪費，這樣會導(dǎo)致生產(chǎn)成本的增加。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、針對現(xiàn)有的問題，本實用新型提供一種硅單晶生長爐，可以有效的解決背景技術(shù)中提出的問題。
2、為解決上述問題，本實用新型采用如下的技術(shù)方案：
3、一種硅單晶生長爐，包括爐筒，所述爐筒的上表面安裝有硅單晶生長爐爐蓋，所述硅單晶生長爐爐蓋的內(nèi)壁固定安裝有環(huán)形密封板，所述環(huán)形密封板的底面固定安裝有環(huán)形密封墊，所述爐筒的內(nèi)壁固定安裝有保溫筒，所述環(huán)形密封墊的底面與保溫筒的上表面相接觸，所述保溫筒的內(nèi)底壁固定安裝有兩組固定支撐柱，兩組所述固定支撐柱相互靠近的一側(cè)面共同固定安裝有熱量反射板，每組所述固定支撐柱的上表面均固定安裝有加熱器。
4、作為本實用新型再進一步的方案：所述爐筒的內(nèi)底壁鑲嵌有軸承，所述熱量反射板的底面開設(shè)有第一通孔，所述保溫筒的底面開設(shè)有第二通孔。
5、作為本實用新型再進一步的方案：所述爐筒的外部設(shè)有坩堝軸，所述坩堝軸的外表面與軸承的內(nèi)圈相接觸，所述坩堝軸的頂端貫穿第二通孔和第一通孔并延伸至保溫筒的內(nèi)部，所述坩堝軸的頂端固定安裝有坩堝本體。
6、作為本實用新型再進一步的方案：所述保溫筒的上表面開設(shè)有第三通孔，所述第三通孔的內(nèi)壁固定安裝有氬氣導(dǎo)流板。
7、作為本實用新型再進一步的方案：所述硅單晶生長爐爐蓋的頂端設(shè)有鋼絲繩，所述鋼絲繩的底端貫穿第三通孔并延伸至保溫筒的內(nèi)部，所述鋼絲繩的底面安裝有硅單晶棒。
8、作為本實用新型再進一步的方案：所述爐筒的外表面連通有兩個抽氣管，所述爐筒的底面固定安裝有三個支撐腿，每個所述支撐腿的底面均固定安裝有支撐座，所述爐筒的外表面固定安裝有產(chǎn)品標(biāo)識。
9、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實用新型的有益效果是：本裝置通過在硅單晶生長爐爐蓋的內(nèi)壁安裝環(huán)形密封板以及在環(huán)形密封板的底面設(shè)置環(huán)形密封墊，使得硅單晶生長爐爐蓋和爐筒之間的縫隙可以得到密封，從而有效減少高純氬氣和熱量從縫隙中漏出至外部，通過在保溫筒的內(nèi)部設(shè)置熱量反射板，使得熱量放射板可以有效的將加熱器底部輻射的熱量反射回去，從而有效減少熱量的流失，該裝置有效的解決了現(xiàn)有的硅單晶生長爐在生產(chǎn)過程中熱功率和高純氬氣存在一定程度的浪費，從而導(dǎo)致生產(chǎn)成本增加的問題。
1.一種硅單晶生長爐，包括爐筒(2)，其特征在于，所述爐筒(2)的上表面安裝有硅單晶生長爐爐蓋(1)，所述硅單晶生長爐爐蓋(1)的內(nèi)壁固定安裝有環(huán)形密封板(20)，所述環(huán)形密封板(20)的底面固定安裝有環(huán)形密封墊(21)，所述爐筒(2)的內(nèi)壁固定安裝有保溫筒(10)，所述環(huán)形密封墊(21)的底面與保溫筒(10)的上表面相接觸，所述保溫筒(10)的內(nèi)底壁固定安裝有兩組固定支撐柱(13)，兩組所述固定支撐柱(13)相互靠近的一側(cè)面共同固定安裝有熱量反射板(14)，每組所述固定支撐柱(13)的上表面均固定安裝有加熱器(12)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅單晶生長爐，其特征在于，所述爐筒(2)的內(nèi)底壁鑲嵌有軸承(19)，所述熱量反射板(14)的底面開設(shè)有第一通孔(17)，所述保溫筒(10)的底面開設(shè)有第二通孔(18)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種硅單晶生長爐，其特征在于，所述爐筒(2)的外部設(shè)有坩堝軸(6)，所述坩堝軸(6)的外表面與軸承(19)的內(nèi)圈相接觸，所述坩堝軸(6)的頂端貫穿第二通孔(18)和第一通孔(17)并延伸至保溫筒(10)的內(nèi)部，所述坩堝軸(6)的頂端固定安裝有坩堝本體(15)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅單晶生長爐，其特征在于，所述保溫筒(10)的上表面開設(shè)有第三通孔(9)，所述第三通孔(9)的內(nèi)壁固定安裝有氬氣導(dǎo)流板(16)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅單晶生長爐，其特征在于，所述硅單晶生長爐爐蓋(1)的頂端設(shè)有鋼絲繩(8)，所述鋼絲繩(8)的底端貫穿第三通孔(9)并延伸至保溫筒(10)的內(nèi)部，所述鋼絲繩(8)的底面安裝有硅單晶棒(11)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種硅單晶生長爐，其特征在于，所述爐筒(2)的外表面連通有兩個抽氣管(3)，所述爐筒(2)的底面固定安裝有三個支撐腿(4)，每個所述支撐腿(4)的底面均固定安裝有支撐座(5)，所述爐筒(2)的外表面固定安裝有產(chǎn)品標(biāo)識(7)。